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1700℃高温CVD系统(单/多温区)

1700℃高温CVD系统(单/多温区)

型号:HL-TCVD1700-L

简介:主要用于真空或气氛烧结、基片镀膜等要求加热温度较高的实验环境。适用于大学,研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与研发。

产品简介

       该高温CVD管式炉工作温度为300℃至1600℃,配备真空泵,气体混合装置。采用智能温度控制系统,出色的气体流量精度,易于操作,出色的隔热效果和温度均匀性。本系列CVD化学沉积系统主要用于真空或气氛烧结、基片镀膜等要求加热温度较高的实验环境。适用于大学,研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与研发。k4b高温箱式电阻炉,管式炉,真空退火炉,真空烧结炉,管式高温炉-河南鸿炉科技有限公司
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性能特点

  • 智能温控
  • 工艺稳定性强
  • 结构合理
  • 精准气路调控

多段程序控温,升温速率可调,满足各类材料热处理工艺。

温场均匀,气体输送稳定,沉积薄膜一致性佳,实验可复现性高。

不锈钢双层密封法兰,两端可调节法兰支撑结构,延长炉管使用寿命

多路气源独立控制,流量调节精度高,工艺重复性好。

技术参数

产品名称 高温CVD系统
产品型号 HL-TCVD1700-L
最高温度 ≤1700℃
工作温度 ≤1600℃
结构 碳钢外壳带冷却风扇
双层氧化铝纤维板
炉管  刚玉管
外径Φ50/60/80/100mm

 (尺寸可按客户需求定制)
密封 真空法兰
加热区长度 200~440mm (尺寸可按客户需求定制)
加热区数量 单温区/多温区,按需定制
温度传感器 B型热电偶 
温度控制 可控硅自动控温,移相触发
多段可编程PID智能控制
过热和断偶保护,超温保护警报
加热速率 建议:≤10℃/min
控温精度 +/-1℃
加热元件  硅钼棒 
流量计 浮子流量计/质子流量计,可选
真空系统 旋片泵/扩散泵/分子泵(可选配)
极限真空度 ≤6.67* 10-3Pa(空炉,冷态,经净化)

配置功能可选

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