CVD/PECVD系统
碳纳米管/纳米线CVD生长炉这款CVD系统为碳纳米管、纳米线连续生长专用设备，该设备由气流控制系统、注液系统、多级温控多区生长系统、水冷系统、碳纳米管等组成。碳纳米管生长炉最高工作温度为1400℃，可在0-1400℃之间连续调节，热场垂直分布，两点控温。设备顶部设有注液口和导流件。这种碳纳米管/薄膜CVD设备可以实现连续和不间断生长。
立式流化CVD系统（单/多温区）立式流化 CVD 采用立式流化床结构，依靠载气使粉体物料在反应腔内形成稳定流化状态，粉体颗粒悬浮翻滚，与反应气体充分接触。系统支持多路气源接入，精准调控气体流量与组分配比，可构建稳定的反应温场与流化环境。该设备专门面向粉体材料气相包覆、改性、薄膜沉积工艺，适用于高校、科研院所及企业研发平台，开展粉体表面涂层、功能化改性等实验研发与小批量试制。
带蒸汽发生器PECVD设备带蒸发器 PECVD 系统是集成液态前驱体蒸发模块的等离子增强气相沉积设备，配套独立温控蒸发器，由蒸发器、混合器和反应器组成。可将液态前驱体稳定气化为饱和蒸气，随载气送入真空反应腔，依靠等离子体激发解离反应，在较低基底温度下完成薄膜沉积。系统集成多路高精度 MFC 气路控制，真空密封性能优异，等离子功率可调，可稳定调控薄膜组分、应力与折射率。适用于高校、科研院所及企业研发平台，该系统主要用于金属薄膜、陶瓷薄膜、复合薄膜、石墨烯等的生长。
带预热系统PECVD设备 该设备是一款带有预热系统的PECVD系统。该系统包含等离子射频电源，预热炉，管式炉，供气系统和真空组成。 PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜，可用于生长纳米或CVD方法来制作各种薄膜。 该等离子化学沉积系统广泛应用于沉积高质量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管（CNT）、石墨烯材料等。是应用于生长纳米线或用CVD方法来制作各种薄膜的一款新的探索工具。
超声波喷涂炉系统HL-T1200-PGEP 是一种多功能超声波喷涂炉系统，专为纳米材料的合成而设计。 三个主要子系统（超声波增强气溶胶发生器、管式炉和静电除尘器）用于三个过程，包括气溶胶产生、热分解和纳米粒子收集。 这样的系统实现了合成方法，可以控制粒度、形态和纳米/微观结构。
1700℃高温CVD系统（单/多温区）主要用于真空或气氛烧结、基片镀膜等要求加热温度较高的实验环境。适用于大学，研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与研发。
1200℃等离子增强PECVD系统1200℃等离子增强 PECVD 系统（石英炉管）以高纯石英管作为反应腔体，搭配管式加热炉体、射频等离子源、高精度气路与真空单元。石英材质耐温、洁净、抗污染，最高工作温度可达 1200℃；依托射频电离激发等离子体，活化前驱气体，兼顾高温热场与等离子增强反应，可在相对温和的沉积条件下完成薄膜生长。系统支持多路气源接入，由 MFC 精准调控气体配比，可稳定控制腔体内真空与压力环境。适用于高校、科研院所及企业研发平台，用于氧化硅、氮化硅、碳基薄膜、纳米涂层等材料的实验研发。
1700℃等离子增强PECVD系统1700℃等离子增强 PECVD 系统（刚玉炉管）采用高纯刚玉炉管作为反应腔体，搭配高温加热单元、射频等离子发生装置、真空系统与多路精密气路模块。刚玉材质耐高温、抗腐蚀、化学稳定性好，设备最高工作温度可达 1700℃，可在高温热场基础上通过等离子体活化前驱气体，降低反应势垒，实现高温等离子协同沉积。系统配备高精度 MFC 控制各路气源，稳定调控气体配比、腔压与等离子功率，温场均匀稳定。适用于高校、科研院所及企业研发平台，用于氧化硅、氮化硅、碳基薄膜、纳米涂层等材料的实验研发。
多温区滑道式CVD系统这款双温区滑道CVD管式炉采用滑道设计，可以通过导轨左右滑动实现物料的快冷和快热；可同时连接多种气源，气体流量采用触屏质量流量控制器进行精确测量和控制。该高温CVD设备主要用于大学，研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
温度范围
开门方式
工艺应用
加热元件及温区
炉膛尺寸
