PECVD系统
1200℃等离子增强PECVD系统1200℃等离子增强 PECVD 系统（石英炉管）以高纯石英管作为反应腔体，搭配管式加热炉体、射频等离子源、高精度气路与真空单元。石英材质耐温、洁净、抗污染，最高工作温度可达 1200℃；依托射频电离激发等离子体，活化前驱气体，兼顾高温热场与等离子增强反应，可在相对温和的沉积条件下完成薄膜生长。系统支持多路气源接入，由 MFC 精准调控气体配比，可稳定控制腔体内真空与压力环境。适用于高校、科研院所及企业研发平台，用于氧化硅、氮化硅、碳基薄膜、纳米涂层等材料的实验研发。
1700℃等离子增强PECVD系统1700℃等离子增强 PECVD 系统（刚玉炉管）采用高纯刚玉炉管作为反应腔体，搭配高温加热单元、射频等离子发生装置、真空系统与多路精密气路模块。刚玉材质耐高温、抗腐蚀、化学稳定性好，设备最高工作温度可达 1700℃，可在高温热场基础上通过等离子体活化前驱气体，降低反应势垒，实现高温等离子协同沉积。系统配备高精度 MFC 控制各路气源，稳定调控气体配比、腔压与等离子功率，温场均匀稳定。适用于高校、科研院所及企业研发平台，用于氧化硅、氮化硅、碳基薄膜、纳米涂层等材料的实验研发。
旋转式PECVD系统该设备是一款定制的PECVD系统，增加了倾斜、旋转功能。该系统包含等离子射频电源，高温管式炉，供气系统和真空系统。适用于粉体材料的表面薄膜沉积，在大规模集成电路、光电器件、MEMS等领域具有广泛的应用。
带尾气处理装置PECVD系统 等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是一种利用辉光放电（等离子体）反应生成含有气态物质的薄膜的薄膜生长技术。该系统由高功率射频电源、真空系统、管式炉组成，配备喷淋塔、活性炭箱，满足尾气处理的需要。
滑道式PECVD系统滑道 PECVD 管式炉集成滑轨移料机构、管式加热腔体、射频等离子源、真空机组与多路精密气路系统。依托滑道结构，样品可快速移入、移出恒温温区，实现快热快冷，缩短热循环时长，规避样品长时间在高温气氛下过度反应。射频等离子体可活化前驱气体，降低沉积反应温度；搭配高精度 MFC 独立调控各路气源，稳定控制气体配比、腔压与等离子功率。管式腔体温场均匀，真空密封可靠，适配二维材料、纳米线、介质薄膜、功能涂层等制备。适用于高校、科研院所及企业研发平台开展等离子气相沉积实验与小批量试制。
带蒸汽发生器PECVD设备带蒸发器 PECVD 系统是集成液态前驱体蒸发模块的等离子增强气相沉积设备，配套独立温控蒸发器，由蒸发器、混合器和反应器组成。可将液态前驱体稳定气化为饱和蒸气，随载气送入真空反应腔，依靠等离子体激发解离反应，在较低基底温度下完成薄膜沉积。系统集成多路高精度 MFC 气路控制，真空密封性能优异，等离子功率可调，可稳定调控薄膜组分、应力与折射率。适用于高校、科研院所及企业研发平台，该系统主要用于金属薄膜、陶瓷薄膜、复合薄膜、石墨烯等的生长。
带预热系统PECVD设备 该设备是一款带有预热系统的PECVD系统。该系统包含等离子射频电源，预热炉，管式炉，供气系统和真空组成。 PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜，可用于生长纳米或CVD方法来制作各种薄膜。 该等离子化学沉积系统广泛应用于沉积高质量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管（CNT）、石墨烯材料等。是应用于生长纳米线或用CVD方法来制作各种薄膜的一款新的探索工具。
温度范围
开门方式
工艺应用
加热元件及温区
炉膛尺寸
