CVD系统
1200℃化学气相沉积CVD（单/多温区）该CVD管式炉适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、材料的气氛烧结等实验。主要用于大学，研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
1700℃高温CVD系统（单/多温区）主要用于真空或气氛烧结、基片镀膜等要求加热温度较高的实验环境。适用于大学，研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与研发。
立式流化CVD系统（单/多温区）立式流化 CVD 采用立式流化床结构，依靠载气使粉体物料在反应腔内形成稳定流化状态，粉体颗粒悬浮翻滚，与反应气体充分接触。系统支持多路气源接入，精准调控气体流量与组分配比，可构建稳定的反应温场与流化环境。该设备专门面向粉体材料气相包覆、改性、薄膜沉积工艺，适用于高校、科研院所及企业研发平台，开展粉体表面涂层、功能化改性等实验研发与小批量试制。
超声波喷涂炉系统HL-T1200-PGEP 是一种多功能超声波喷涂炉系统，专为纳米材料的合成而设计。 三个主要子系统（超声波增强气溶胶发生器、管式炉和静电除尘器）用于三个过程，包括气溶胶产生、热分解和纳米粒子收集。 这样的系统实现了合成方法，可以控制粒度、形态和纳米/微观结构。
多温区滑道式CVD系统这款双温区滑道CVD管式炉采用滑道设计，可以通过导轨左右滑动实现物料的快冷和快热；可同时连接多种气源，气体流量采用触屏质量流量控制器进行精确测量和控制。该高温CVD设备主要用于大学，研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
碳纳米管/纳米线CVD生长炉这款CVD系统为碳纳米管、纳米线连续生长专用设备，该设备由气流控制系统、注液系统、多级温控多区生长系统、水冷系统、碳纳米管等组成。碳纳米管生长炉最高工作温度为1400℃，可在0-1400℃之间连续调节，热场垂直分布，两点控温。设备顶部设有注液口和导流件。这种碳纳米管/薄膜CVD设备可以实现连续和不间断生长。
温度范围
开门方式
工艺应用
加热元件及温区
炉膛尺寸
