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1200℃化学气相沉积CVD(单/多温区)

1200℃化学气相沉积CVD(单/多温区)

型号:HL-TCVD1200-S

简介:该CVD管式炉适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、材料的气氛烧结等实验。主要用于大学,研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。

产品简介

       此款CVD气相沉积系统的工作温度为≤1100℃,配备真空泵,气体混合装置。采用了温度控制系统,高精度控温,出色的气体流量精度,易于操作,有非常好的隔热效果和温度均匀性。该CVD管式炉适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、材料的气氛烧结等实验。主要用于大学,研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。yKk高温箱式电阻炉,管式炉,真空退火炉,真空烧结炉,管式高温炉-河南鸿炉科技有限公司
 yKk高温箱式电阻炉,管式炉,真空退火炉,真空烧结炉,管式高温炉-河南鸿炉科技有限公司

性能特点

  • 高纯氧化铝纤维炉膛
  • 双层外壳结构 配备冷风系统
  • PID智能温控系统

发热元件采用优良电阻丝,炉膛采用陶瓷纤维材料,保温性能好,抗拉强度高,无杂球,纯度高,节能效果明显

双层钢制外壳,带双冷却风扇,炉壳温度始终保持在安全范围内,上开启打开炉门,操作方便

内置PID自动调节功能,具有过热和断开热电偶断开保护; 超温保护和报警

产品展示

技术参数

设备名称 CVD管式炉
设备型号 HL-TCVD1200-S
最高温度 1200 ℃
工作温度 ≤1100℃
炉管尺寸 外径40~120mm(其他尺寸可按需求定制)
炉管材质 石英
温区长度 200~440mm
(其他尺寸可按需求定制)
温区数量 单温区/多温区,按需定制
加热元件 电阻丝
加热速率 0-10℃/min
温度控制
 
● 多个可编程段,用于控制加热速率、冷却速率和停留时间。
● 内置PID自动调节功能,具有过热和热电偶损坏保护功能。
● 超温保护和报警
热电偶
N型
温控精度 ±1℃
炉膛结构
双层钢制外壳,带双冷却风扇
真空法兰 不锈钢密封水冷法兰
供气系统 浮子流量计/质量流量计(可选)
流量控制:触屏控制(选配)
真空系统 旋片泵/扩散泵/分子泵(可选配)
极限真空度达到6.67X10-3Pa(冷却状态)

配置功能可选

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