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产品简介
该设备是一款带有预热系统的PECVD系统。该系统包含等离子射频电源，预热炉，管式炉，供气系统和真空组成。 PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜，可用于生长纳米或CVD方法来制作各种薄膜。 该等离子化学沉积系统广泛应用于沉积高质量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管（CNT）、石墨烯材料等。是应用于生长纳米线或用CVD方法来制作各种薄膜的一款新的探索工具。
性能特点
- 带有预热炉
- 沉积温度低
- 沉积效果好
带有预热炉，气体可通过此炉预热也可将液体蒸发气化或固体原料升华后与气体原料混合
与普通PECVD相比较，其沉积温度大大降低，减少了高温对薄膜的损坏
等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜
技术参数
| 产品名称 | 带预热系统PECVD设备 |
| 管式炉部分 | |
| 产品型号 | HL-PECVD1200S-YR |
| 炉管尺寸 | 可选直径Φ50/80/100/120mm （尺寸可根据客户需求定制） |
| 炉管材质 | 石英管 |
| 加热区 | 单/多温区可选，每个温区长度200~440mm （尺寸可根据客户需求定制） |
| 工作温度 | ≤1100℃ |
| 最高温度 | 1200℃ |
| 温控方式 | N型热电偶 |
| 控制方式 | 触屏控制 |
| 控温精度 | ±1℃ |
| 温控保护 | 具有超温和断偶保护功能 |
| 升温速率 | 建议≤10ºC/min |
| 加热元件 | 含钼电阻丝 |
| 炉膛材料 | 氧化铝多晶纤维 |
| 密封系统 | 真空法兰 |
| 主要参数 | 多段程序控温，可将固体和液体原料放在预热炉中，气化后与气体原料相混合 |
| 真空系统部分 | |
| 真空泵组 | 旋片泵/扩散泵/分子泵（可选配） |
| 极限真空度 | ≤6.67* 10-3Pa（空炉，冷态，经净化） |
| 气路系统部分 | |
| 名称 | 浮子流量计/质量流量计（量程可选） |
| 等离子电源部分 | |
| 功率范围 | 0-500W（连续可调） |
| 更多规格可根据客户需求定制 | |
温度范围
开门方式
工艺应用
加热元件及温区
炉膛尺寸
