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产品简介
带蒸发器 PECVD 系统是集成液态前驱体蒸发模块的等离子增强气相沉积设备，配套独立温控蒸发器，由蒸发器、混合器和反应器组成。可将液态前驱体稳定气化为饱和蒸气，随载气送入真空反应腔，依靠等离子体激发解离反应，在较低基底温度下完成薄膜沉积。系统集成多路高精度 MFC 气路控制，真空密封性能好，等离子功率可调，可稳定调控薄膜组分、应力与折射率。适用于高校、科研院所及企业研发平台，该系统主要用于金属薄膜、陶瓷薄膜、复合薄膜、石墨烯等的生长。
性能特点
- 研发适配性广
- 低温等离子沉积
- 成品质量好
- 更好的沉积效率
独立控温蒸发器，可稳定气化各类液态前驱体，多路气源独立调控，蒸气、载气、反应气配比稳定，工艺重复性好。
依托等离子激发反应，PECVD对于化学气相沉积需要比普通CVD更低的温度，基底沉积温度低，适配热敏型基底材料。
具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点
PECVD比普通CVD具有更高的化学气相沉积速率、更好的均匀性、一致性和稳定性
技术参数
| 产品名称 | 带蒸汽发生器PECVD设备 |
| 产品型号 | HL-PECVD1700-L |
| 最高温度 | ≤1700℃ |
| 工作温度 | ≤1600℃ |
| 结构 | 碳钢外壳带冷却风扇 双层氧化铝纤维板 |
| 炉管 | 刚玉管 外径50~100mm （尺寸可按客户需求定制） |
| 密封 | 真空法兰 |
| 加热区长度 | 200~440mm （尺寸可按客户需求定制） |
| 加热区数量 | 单温区/多温区，按需定制 |
| 温度传感器 | B型热电偶 |
| 温度控制 | 可控硅自动控温，移相触发 多段可编程PID智能控制 过热和断偶保护，超温保护警报 |
| 加热速率 | 建议：≤10℃/min |
| 控温精度 | +/-1℃ |
| 加热元件 | 硅钼棒 |
| 流量计 | 浮子流量计/质子流量计，可选 |
| 真空系统 | 旋片泵/扩散泵/分子泵（可选配） |
| 极限真空度 | ≤6.67* 10-3Pa（空炉，冷态，经净化） |
| 等离子电源系统 | 功率范围 0-500W（连续可调） 工作频率 13.56MHZ+0.005% |
温度范围
开门方式
工艺应用
加热元件及温区
炉膛尺寸
