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产品简介
1200℃等离子增强 PECVD 系统（石英炉管）以高纯石英管作为反应腔体，搭配管式加热炉体、射频等离子源、高精度气路与真空单元。石英材质耐温、洁净、抗污染，最高工作温度可达 1200℃；依托射频电离激发等离子体，活化前驱气体，兼顾高温热场与等离子增强反应，可在相对温和的沉积条件下完成薄膜生长。系统支持多路气源接入，由 MFC 精准调控气体配比，可稳定控制腔体内真空与压力环境。适用于高校、科研院所及企业研发平台，用于氧化硅、氮化硅、碳基薄膜、纳米涂层等材料的实验研发。
性能特点
- 高纯石英反应腔
- 等离子活化反应
- 多路气路精准控制
- 工艺拓展性强
石英炉管化学稳定性好，杂质析出少，保障膜层洁净度，便于观察腔内反应状态。
射频激发等离子体，降低反应活化能，成膜速率更快，膜层附着力优良。
独立 MFC 流量调控，气体配比稳定，工艺参数可记录，实验重复性高。
功率、温度、真空度可调，适配多种前驱气体，支持新材料配方摸索。
技术参数
| 设备名称 | PECVD管式炉 |
| 设备型号 | HL-PECVD1200-S |
| 最高温度 | 1200 ℃ |
| 工作温度 | ≤1100℃ |
| 炉管尺寸 | Φ50/60/80/100/120mm（尺寸可按需求定制） |
| 炉管材质 | 石英 |
| 温区长度 | 200~440mm （其他尺寸可按需求定制） |
| 温区数量 | 单温区/多温区，按需定制 |
| 加热元件 | 电阻丝 |
| 加热速率 | 0-10℃/min |
| 温度控制 |
● 多个可编程段，用于控制加热速率、冷却速率和停留时间。 ● 内置PID自动调节功能，具有过热和热电偶损坏保护功能。 ● 超温保护和报警 |
| 热电偶 |
N型 |
| 温控精度 | ±1℃ |
| 炉膛结构 |
双层钢制外壳，带双冷却风扇 |
| 真空法兰 | 不锈钢密封水冷法兰 |
| 供气系统 | 浮子流量计/质量流量计（可选） 流量控制：触屏控制（选配） |
| 真空系统 | 旋片泵/扩散泵/分子泵（可选配） 极限真空度达到6.67X10-3Pa（冷却状态） |
| 等离子电源系统 | 功率范围 0-500W（连续可调） 工作频率 13.56MHZ+0.005% |
温度范围
开门方式
工艺应用
加热元件及温区
炉膛尺寸
