产品简介

PECVD旋转管式炉系统适用于粉体材料的表面薄膜沉积。系统由高功率射频电源、真空系统、旋转管式炉组成。该设备是为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，环境温度在100-300℃，但反应气体在辉光放电等离子体中能受激分解、离解和离化，从而大大提高了反应物的活性，这些具有反应活性的中性物质很容易被吸附到较次温度的基本表面上，发生非平衡的化学反应沉积生成薄膜，因此这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积法。PECVD淀积的薄膜具有良好的电学性能、良好的衬底附着性以及非常好的台阶覆盖性，正由于这些优点使其在大规模集成电路、光电器件、MEMS等领域具有广泛的应用。

性能特点

成品质量好
炉管可旋转
可通保护气氛
安全防护功能

PECVD具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点

炉管采用定制变径炉管，管壁内带有石英拨料台，让物料受热更充分。炉管360℃旋转，旋转速度可调

法兰上带有进出气旋转接头，可以通入氮气、氩气等惰性保护气体，可在气氛环境下使用

安全防护，具有超温保护功能，当温度超过允许设定值后，自动报警保护功能，操作安全可靠

产品展示

技术参数

产品名称	旋转式PECVD系统
产品型号	HL-TCVD1200-S
炉膛材料	炉膛采用氧化铝多晶纤维
炉管外径	可选Φ50，60，80，100，120mm （尺寸可根据客户需求定制）
加热区	200~440mm（尺寸可根据客户需求定制）
炉管材质	石英炉管
最高温度	1200℃
工作温度	≤1100℃
加热元件	合金加热丝
控温精度	±1℃
加热速率	建议10℃/min，可根据实验工艺进行调节
温度测试元件	N型热电偶
控温系统	采用智能化多段PID可编程控制温度控制系统采用人工智能调节技术，具有 PID 调节、自整定功能并可编制多段升降温程序； 1、采用PID 方式调节控温，可设置多段升降温程序 2、控温精度±1ºC 3、具有过温保护断偶保护过温或断偶时电炉加热电路自动切断 4、仪表具有温度自整定的功能
旋转速率	转速可调
旋转结构	旋转方式，炉管可以360℃旋转，炉体可倾斜
真空系统	旋片泵/扩散泵/分子泵（可选配）极限真空：6.7*10-3Pa
等离子电源系统	功率范围 0-500W（连续可调）工作频率 13.56MHZ+0.005% 工作模式连续输出冷却方式风冷

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配置功能可选