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滑道式PECVD系统

滑道式PECVD系统

型号:HL-PECVD1200-S

简介:滑道 PECVD 管式炉集成滑轨移料机构、管式加热腔体、射频等离子源、真空机组与多路精密气路系统。依托滑道结构,样品可快速移入、移出恒温温区,实现快热快冷,缩短热循环时长,规避样品长时间在高温气氛下过度反应。射频等离子体可活化前驱气体,降低沉积反应温度;搭配高精度 MFC 独立调控各路气源,稳定控制气体配比、腔压与等离子功率。管式腔体温场均匀,真空密封可靠,适配二维材料、纳米线、介质薄膜、功能涂层等制备。适用于高校、科研院所及企业研发平台开展等离子气相沉积实验与小批量试制。

产品简介

        滑道 PECVD 管式炉集成滑轨移料机构、管式加热腔体、射频等离子源、真空机组与多路精密气路系统。依托滑道结构,样品可快速移入、移出恒温温区,实现快热快冷,缩短热循环时长,规避样品长时间在高温气氛下过度反应。射频等离子体可活化前驱气体,降低沉积反应温度;搭配高精度 MFC 独立调控各路气源,稳定控制气体配比、腔压与等离子功率。管式腔体温场均匀,真空密封可靠,适配二维材料、纳米线、介质薄膜、功能涂层等制备。适用于高校、科研院所及企业研发平台开展等离子气相沉积实验与小批量试制。

性能特点

  • 滑道快速移料
  • 等离子低温沉积
  • 多路气氛可控
  • 工艺稳定性强

滑轨滑移设计,样品快速进出高温区,实现快热快冷,工艺周期短。

射频激发等离子体活化反应,降低沉积温度,适配热敏基底。

可接入多种工艺气源,一体化触屏操控界面,参数设置、流量监测、程序编辑集中管理,精准调节流量,气体配比重复性好。

温场均匀,气体输送稳定,沉积薄膜一致性佳,实验可复现性高。

产品展示

技术参数

产品名称 滑道式PECVD
型号 HL-PECVD1200-S
滑道管式炉部分
炉膛模式 开启式
炉体滑动 可以通过导轨左右滑动实现物料的快冷和快热
炉膛材料 氧化铝耐火纤维
加热元件 含钼加热丝
极限温度 1200℃
工作温度 ≤1100℃
升温速率 建议:≤10℃min
加热温区 单/多温区(温度数量可按需求定制)
温区总长度 200~440mm(尺寸可按客户需求定制)
炉管材质 高纯石英
炉管直径 50~120mm(尺寸可按客户需求定制)
密封方式 不锈钢真空法兰一套(含密封硅胶圈)
其中一端用方便进出物料的快接法兰,预留进气品和出气口
控制模式 多段智能PID程序控温
测温元件 N型热电偶
报警 有超温和断偶报警
供气系统
气体通道 可同时连接多种气源
质量流量计和混气罐都安装在移动箱体内
流 量 计 浮子流量计/质量流量计,按需选择
 真空系统
真空泵+真空计 真空泵机组及相应连接管件     
极限真空度可实现6.67*10-3pa
等离子电源系统
等离子射频 功率范围 0-500W(连续可调)
工作频率 13.56MHZ+0.005%

配置功能可选

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