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产品简介
1700℃等离子增强 PECVD 系统（刚玉炉管）采用高纯刚玉炉管作为反应腔体，搭配高温加热单元、射频等离子发生装置、真空系统与多路精密气路模块。刚玉材质耐高温、抗腐蚀、化学稳定性好，设备最高工作温度可达 1700℃，可在高温热场基础上通过等离子体活化前驱气体，降低反应势垒，实现高温等离子协同沉积。系统配备高精度 MFC 控制各路气源，稳定调控气体配比、腔压与等离子功率，温场均匀稳定。适用于高校、科研院所及企业研发平台，用于氧化硅、氮化硅、碳基薄膜、纳米涂层等材料的实验研发。
性能特点
- 高温工艺能力
- 等离子活化反应
- 多路气路精准控制
- 工艺拓展性强
可实现1600℃工作温度，可完成常规 PECVD 无法实现的高温薄膜沉积。
射频激发等离子体，降低反应活化能，成膜速率更快，膜层附着力优良。
独立 MFC 流量调控，气体配比稳定，工艺参数可记录，实验重复性高。
功率、温度、真空度可调，适配多种前驱气体，支持新材料配方摸索。
技术参数
| 产品名称 | 高温PECVD系统 |
| 产品型号 | HL-PECVD1700-L |
| 最高温度 | ≤1700℃ |
| 工作温度 | ≤1600℃ |
| 结构 | 碳钢外壳带冷却风扇 双层氧化铝纤维板 |
| 炉管 | 刚玉管 外径Φ50/60/80/100mm （尺寸可按客户需求定制） |
| 密封 | 真空法兰 |
| 加热区长度 | 200~440mm （尺寸可按客户需求定制） |
| 加热区数量 | 单温区/多温区，按需定制 |
| 温度传感器 | B型热电偶 |
| 温度控制 | 可控硅自动控温，移相触发 多段可编程PID智能控制 过热和断偶保护，超温保护警报 |
| 加热速率 | 建议：≤10℃/min |
| 控温精度 | +/-1℃ |
| 加热元件 | 硅钼棒 |
| 流量计 | 浮子流量计/质子流量计，可选 |
| 真空系统 | 旋片泵/扩散泵/分子泵（可选配） |
| 极限真空度 | ≤6.67* 10-3Pa（空炉，冷态，经净化） |
| 等离子电源系统 | 功率范围 0-500W（连续可调） 工作频率 13.56MHZ+0.005% |
温度范围
开门方式
工艺应用
加热元件及温区
炉膛尺寸
