氮化铝陶瓷烧结炉

型号：HL-V1950

简介：氮化铝真空烧结炉是氮化铝陶瓷材料专用高温烧结设备，在可控真空或保护气氛环境下完成坯体致密化烧结。适用于氮化铝散热基板、电子封装基片、功率器件陶瓷构件的试样研发与小批量烧结，多用于先进电子陶瓷企业、科研院所，开展材料配方、烧结工艺试验，稳定获得高导热、低缺陷的氮化铝陶瓷制品，为产品定型与量产提供试验支撑。

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产品简介

氮化铝真空烧结炉是氮化铝陶瓷材料专用高温烧结设备，在可控真空或保护气氛环境下完成坯体致密化烧结。设备搭载高精度温控系统，支持多段可编程升温、保温工艺曲线，精准控制烧结温度与保温时长，保障坯体组织均匀致密。炉体密封性能良好，减少杂质侵入，保护氮化铝坯体在高温下不被氧化，维持材料高导热特性。适用于氮化铝散热基板、电子封装基片、功率器件陶瓷构件的试样研发与小批量烧结，多用于先进电子陶瓷企业、科研院所，开展材料配方、烧结工艺试验，稳定获得高导热、低缺陷的氮化铝陶瓷制品，为产品定型与量产提供试验支撑。

性能特点

温控精度高
气氛环境可控
炉膛洁净度高
工艺数据记录

精准把控烧结温度区间，适配氮化铝烧结工艺窗口，坯体反应稳定。

真空或保护气氛环境，抑制氮化铝高温氧化，保障材料导热性能。

减少杂质污染，避免杂质引入影响氮化铝陶瓷导热与绝缘性能。

自动采集温度、压力参数，便于工艺复盘、质量追溯与参数迭代。

技术参数

型号	有效加热区尺寸宽高深(mm)	最高温度(℃)	极限真空度(pa)	温度均匀性(℃)	压升率(pa/h)	装载量 (kg)
HL-V1950-96W	400400600	1950	5	±5	0.67	120
HL-V1950-175W	500500700	1950	5	±5	0.67	200
HL-V1950-324W	600600900	1950	5	±5	0.67	300