CVD/PECVD系统
旋转式PECVD系统该设备是一款定制的PECVD系统，增加了倾斜、旋转功能。该系统包含等离子射频电源，高温管式炉，供气系统和真空系统。适用于粉体材料的表面薄膜沉积，在大规模集成电路、光电器件、MEMS等领域具有广泛的应用。
滑道式PECVD系统滑道 PECVD 管式炉集成滑轨移料机构、管式加热腔体、射频等离子源、真空机组与多路精密气路系统。依托滑道结构，样品可快速移入、移出恒温温区，实现快热快冷，缩短热循环时长，规避样品长时间在高温气氛下过度反应。射频等离子体可活化前驱气体，降低沉积反应温度；搭配高精度 MFC 独立调控各路气源，稳定控制气体配比、腔压与等离子功率。管式腔体温场均匀，真空密封可靠，适配二维材料、纳米线、介质薄膜、功能涂层等制备。适用于高校、科研院所及企业研发平台开展等离子气相沉积实验与小批量试制。
1200℃化学气相沉积CVD（单/多温区）该CVD管式炉适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、材料的气氛烧结等实验。主要用于大学，研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
带尾气处理装置PECVD系统 等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是一种利用辉光放电（等离子体）反应生成含有气态物质的薄膜的薄膜生长技术。该系统由高功率射频电源、真空系统、管式炉组成，配备喷淋塔、活性炭箱，满足尾气处理的需要。
温度范围
开门方式
工艺应用
加热元件及温区
炉膛尺寸
