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RTP真空快速退火炉真空RTP退火炉可在真空、气氛环境下，对样品进行快速热处理，主要应用于院校实验室、工矿企业实验室，如：薄膜沉积，不同材料快速退火、硅化、扩散、晶化和致密化等。
（带预热炉）六温区立式管式炉该高温立式管式炉主要由物料预热炉、反应炉、气体预热炉、控制柜、供气系统、进料装置、收料装置组成。炉膛采用轻质陶瓷纤维精制炉膛，左右滑动开启方便，可在多种惰性气氛条件下进行烧结。
碳纳米管/纳米线CVD生长炉这款CVD系统为碳纳米管、纳米线连续生长专用设备，该设备由气流控制系统、注液系统、多级温控多区生长系统、水冷系统、碳纳米管等组成。碳纳米管生长炉最高工作温度为1400℃，可在0-1400℃之间连续调节，热场垂直分布，两点控温。设备顶部设有注液口和导流件。这种碳纳米管/薄膜CVD设备可以实现连续和不间断生长。
立式流化CVD系统（单/多温区）立式流化 CVD 采用立式流化床结构，依靠载气使粉体物料在反应腔内形成稳定流化状态，粉体颗粒悬浮翻滚，与反应气体充分接触。系统支持多路气源接入，精准调控气体流量与组分配比，可构建稳定的反应温场与流化环境。该设备专门面向粉体材料气相包覆、改性、薄膜沉积工艺，适用于高校、科研院所及企业研发平台，开展粉体表面涂层、功能化改性等实验研发与小批量试制。
带蒸汽发生器PECVD设备带蒸发器 PECVD 系统是集成液态前驱体蒸发模块的等离子增强气相沉积设备，配套独立温控蒸发器，由蒸发器、混合器和反应器组成。可将液态前驱体稳定气化为饱和蒸气，随载气送入真空反应腔，依靠等离子体激发解离反应，在较低基底温度下完成薄膜沉积。系统集成多路高精度 MFC 气路控制，真空密封性能优异，等离子功率可调，可稳定调控薄膜组分、应力与折射率。适用于高校、科研院所及企业研发平台，该系统主要用于金属薄膜、陶瓷薄膜、复合薄膜、石墨烯等的生长。
带预热系统PECVD设备 该设备是一款带有预热系统的PECVD系统。该系统包含等离子射频电源，预热炉，管式炉，供气系统和真空组成。 PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜，可用于生长纳米或CVD方法来制作各种薄膜。 该等离子化学沉积系统广泛应用于沉积高质量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管（CNT）、石墨烯材料等。是应用于生长纳米线或用CVD方法来制作各种薄膜的一款新的探索工具。
1800℃高温气氛炉该系列产品专为高校、科研院所和工矿企业实验室开发陶瓷、冶金、电子、玻璃、化工、机械、耐火材料、新材料、特种材料、粉末冶金、磁性材料、建筑材料，该气氛炉为金属、非金属和其他化学材料在大气或真空状态下的脱脂、烧结、熔化、分析和生产而开发的热处理专用设备。
钛合金真空烧结炉 钛合金真空烧结炉配备专用洁净炉膛，是钛合金烧结专用高温设备，在高真空环境完成钛合金坯体致密化烧结。适用于 3D 打印钛件、粉末冶金钛构件、医疗钛合金零部件的试样试制与小批量烧结，服务于新材料企业、科研院所，开展钛合金粉末冶金工艺研发，获得低杂质、组织均匀的烧结产品，为工艺优化与量产提供可靠试验数据。
3D打印金属材料真空回火炉3D 打印金属材料真空回火炉专为 3D 打印金属工件定制，配置密闭真空腔体与精密温控系统，在真空或惰性保护气氛环境下完成回火处理。可有效消除打印件内部残余应力，优化金相组织，改善工件韧性与尺寸稳定性，减少变形开裂风险。适用于钛合金、高温合金、不锈钢等 3D 打印零部件，满足科研试样及中小批量产品的回火工艺需求，可稳定执行分段控温工艺曲线。
温度范围
开门方式
工艺应用
加热元件及温区
炉膛尺寸
