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1200℃等离子增强PECVD系统1200℃等离子增强 PECVD 系统（石英炉管）以高纯石英管作为反应腔体，搭配管式加热炉体、射频等离子源、高精度气路与真空单元。石英材质耐温、洁净、抗污染，最高工作温度可达 1200℃；依托射频电离激发等离子体，活化前驱气体，兼顾高温热场与等离子增强反应，可在相对温和的沉积条件下完成薄膜生长。系统支持多路气源接入，由 MFC 精准调控气体配比，可稳定控制腔体内真空与压力环境。适用于高校、科研院所及企业研发平台，用于氧化硅、氮化硅、碳基薄膜、纳米涂层等材料的实验研发。
1700℃等离子增强PECVD系统1700℃等离子增强 PECVD 系统（刚玉炉管）采用高纯刚玉炉管作为反应腔体，搭配高温加热单元、射频等离子发生装置、真空系统与多路精密气路模块。刚玉材质耐高温、抗腐蚀、化学稳定性好，设备最高工作温度可达 1700℃，可在高温热场基础上通过等离子体活化前驱气体，降低反应势垒，实现高温等离子协同沉积。系统配备高精度 MFC 控制各路气源，稳定调控气体配比、腔压与等离子功率，温场均匀稳定。适用于高校、科研院所及企业研发平台，用于氧化硅、氮化硅、碳基薄膜、纳米涂层等材料的实验研发。
多温区滑道式CVD系统这款双温区滑道CVD管式炉采用滑道设计，可以通过导轨左右滑动实现物料的快冷和快热；可同时连接多种气源，气体流量采用触屏质量流量控制器进行精确测量和控制。该高温CVD设备主要用于大学，研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
1700℃实验小型刚玉回转炉刚玉小型实验回转管式炉，以高纯刚玉管为回转反应腔体，长期工作温度可达1600℃，属于实验室小型高温热处理设备。炉体配置回转驱动机构，工作时刚玉管低速旋转，物料翻滚受热均匀，可通入保护气氛，用于粉体煅烧、固相合成、热解等实验。支持 PID 多段程序控温，可设定升温、保温、降温曲线。设备体积小巧，装料方便，适合高校与新材料企业开展配方研发、小试样试验及小批量粉体试制。
1.7Mhz超声雾化热分解炉（三温区）本产品是一种超声波喷雾热解炉，也叫做三温区超声喷雾热解管式炉，该设备由超声雾化装置、1200℃三温区管式炉、供气系统、真空系统和高压静电收集装置组成。材料制备通过前驱体雾化、加热和纳米颗粒收集这三个步骤，来用于合成纳米核壳结构的多功能性。此款高温热解炉是一款非常优良的合成系统。针对于合成各种纳米结构氧化物以及纳米材料的复合包覆工艺。
工业型升降/钟罩炉钟罩炉采用升降式炉底结构，载料平台具备升降与电动移出功能，可直接移动至炉体外，物料取放便捷，有效提升作业效率。可根据需求选配气氛功能、触摸屏集成控制系统。主要用于烧结、煅烧、退火、预烧等工艺；适合对温场均匀性、工件装卸防护要求较高的场
1200℃真空/气氛管式炉主要用于制备稀土、电子照明、晶体退火、生物陶瓷、电子陶瓷、特种合金、磁性材料、精密铸造、金属热处理等工业真空烧结、保护气氛烧结、真空沉积、CVD实验、材料成分测定等场合。
旋转式PECVD系统该设备是一款定制的PECVD系统，增加了倾斜、旋转功能。该系统包含等离子射频电源，高温管式炉，供气系统和真空系统。适用于粉体材料的表面薄膜沉积，在大规模集成电路、光电器件、MEMS等领域具有广泛的应用。
(含预热炉)三温区旋转管式炉整个系统由一个立式管式炉和一个石墨密封设计的主旋转管炉组成，气体进出口配有相关阀门，用户可以从预热炉和主管炉收集气体。
温度范围
开门方式
工艺应用
加热元件及温区
炉膛尺寸
